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广州半导体材料研究所所志 第一卷
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硅烷低温精馏制取多晶硅及探测器单晶硅获中国有色金属工业总公司科技进步二等奖
硅烷低温精馏制取多晶硅及探测器单晶硅获中国有色金属工业总公司科技进步二等奖
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来源:
广州半导体材料研究所所志 第一卷/图片
条目类型:
图
编纂人员:
莫庆时
页数:
1
分类:
工业->无线电电子学、电信技术
内容时限:
1966-1995
目录:
广州半导体材料研究所所志 第一卷
图片
硅烷低温精馏制取多晶硅及探测器单晶硅获中国有色金属工业总公司科技进步二等奖